Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры
| dc.contributor.author | Плющевский, И. А. | |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2018-09-06T06:50:19Z | |
| dc.date.available | 2018-09-06T06:50:19Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Плющевский, И. А. Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры / И. А. Плющевский, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 371. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/47185 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
