Пассивная модуляция добротности микрочип лазера излучающего в области 2 МКМ с затвором на основе однослойных углеродных нанотрубок
dc.contributor.author | Гусакова, Н. В. | |
dc.contributor.author | Демеш, М. П. | |
dc.contributor.author | Кисель, В. Э. | |
dc.contributor.author | Ясюкевич, А. С. | |
dc.contributor.author | Choi, S. Y. | |
dc.contributor.author | Rotermund, F. | |
dc.contributor.author | Павлюк, А. А. | |
dc.contributor.author | Кулешов, Н. В. | |
dc.coverage.spatial | Минск | ru |
dc.date.accessioned | 2019-04-30T07:00:42Z | |
dc.date.available | 2019-04-30T07:00:42Z | |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.identifier.citation | Пассивная модуляция добротности микрочип лазера излучающего в области 2 МКМ с затвором на основе однослойных углеродных нанотрубок / Н. В. Гусакова [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 358-360. | ru |
dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/52332 | |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БНТУ | ru |
dc.title | Пассивная модуляция добротности микрочип лазера излучающего в области 2 МКМ с затвором на основе однослойных углеродных нанотрубок | ru |
dc.type | Working Paper | ru |