Зонная структура тонкоплёночного Ge при лазерно-индуцированных напряжениях
| dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | |
| dc.contributor.author | Малевич, В. Л. | |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2019-10-04T11:25:46Z | |
| dc.date.available | 2019-10-04T11:25:46Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Гацкевич, Е. И. Зонная структура тонкоплёночного Ge при лазерно-индуцированных напряжениях / Е. И. Гацкевич, В. Л. Малевич // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2018. - Т. 3. - С. 381. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/57579 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Зонная структура тонкоплёночного Ge при лазерно-индуцированных напряжениях | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
