Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4 / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. – Минск : БНТУ, 2018. – Т. 3. – С. 410.