| dc.contributor.author | Маркевич, М. И. | ru |
| dc.contributor.author | Чапланов, А. М. | ru |
| dc.contributor.author | Малышко, А. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Солодуха, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | ru |
| dc.contributor.author | Сарычев, О. Э. | ru |
| dc.contributor.author | Щербакова, Е. Н. | ru |
| dc.date.accessioned | 2021-01-20T07:50:29Z | |
| dc.date.available | 2021-01-20T07:50:29Z | |
| dc.date.issued | 2014 | ru |
| dc.identifier.citation | Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля = Formation and investigation of Schottky diodes based on platinum and nickel silicide / М. И. Маркевич [и др.] // Вестник БарГУ. – 2016. – № 4. – С. 48-54. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/83661 | en |
| dc.description.abstract | Диоды Шоттки находят широкое применение в системах электроники. В настоящей работе определена высота барьера диодов Шоттки, сформированных на основе тонкоплёночной системы NiV-Pt при различных режимах отжига. Методами электронографии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы изменения элементного состава и установлены фазовые превращения, происходящие в данных системах при двухстадийном стационарном отжиге в атмосфере азота в зависимости от температуры и времени воздействия. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.title | Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля | ru |
| dc.title.alternative | Formation and investigation of Schottky diodes based on platinum and nickel silicide | en |
| dc.type | Article | en |
| local.description.annotation | Schottky diodes are widely used in electronics systems. The article deals with the height of Shottky diode barrier formed on the basis of NiV-Pt/Si thin film system in different annealing modes. Using the methods of electronography and X-ray microanalysis the changes in elemental composition and phase transformations of these systems in the conditions of two-step stationary annealing under nitrogen environment depending on exposure time and temperature are investigated. | en |
