Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора
dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | ru |
dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | ru |
dc.contributor.author | Просолович, В. С. | ru |
dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | ru |
dc.contributor.author | Шестовский, Д. В. | ru |
dc.contributor.author | Черный, В. В. | ru |
dc.contributor.author | Явид, В. Ю. | ru |
dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | ru |
dc.coverage.spatial | Минск | ru |
dc.date.accessioned | 2021-02-09T08:18:37Z | |
dc.date.available | 2021-02-09T08:18:37Z | |
dc.date.issued | 2020 | |
dc.identifier.citation | Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 323-324. | ru |
dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/86845 | |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БНТУ | ru |
dc.title | Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора | ru |
dc.type | Working Paper | ru |