Show simple item record

dc.contributor.authorГорбачук, Н. И.ru
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.ru
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.ru
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.ru
dc.contributor.authorПросолович, В. С.ru
dc.contributor.authorКовальчук, Н. С.ru
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.ru
dc.contributor.authorЧерный, В. В.ru
dc.contributor.authorШестовский, Д. В.ru
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2021-02-09T08:18:37Z
dc.date.available2021-02-09T08:18:37Z
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationВлияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов / Н. И. Горбачук [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 325-326.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/86846
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.titleВлияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодовru
dc.typeWorking Paperru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record