Методика входного контроля транзисторов с затвором Шоттки, изготовленных на n+-n-i- GaAs-структурах
| dc.contributor.author | Емельяненко, Ю. С. | ru |
| dc.contributor.author | Новоселов, А. М. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2021-05-26T10:54:52Z | |
| dc.date.available | 2021-05-26T10:54:52Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.identifier.citation | Емельяненко, Ю. С. Методика входного контроля транзисторов с затвором Шоттки, изготовленных на n+-n-i- GaAs-структурах / Ю. С. Емельяненко, А. М. Новоселов // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Десятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2012. – Т. 3. – С. 406. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/93331 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Методика входного контроля транзисторов с затвором Шоттки, изготовленных на n+-n-i- GaAs-структурах | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
