Browsing by Author "Жамойть, А. Е."
Now showing items 1-4 of 4
-
Компенсация несоответствия показаний оптических параметров для неохлаждаемого микроболометра
Климович, Т. А.; Жамойть, А. Е.; Занько, А. И. (Интегралполиграф, 2024)Тепловая инфракрасная визуализация получила большую популярность в применении по всему миру. Микроболометры – это тепловые датчики, используемые для получения инфракрасных изображений. Для повышения их производительности часто требуются методы компенсации. Компенсация используется для уменьшения влияния ошибок квантования. Она может включать в себя использование фильтров, алгоритмов ...2025-02-05 -
Методика формирования контактных соединений методом Flip-Chip в процессе сборки фотоприемных устройств
Видрицкий, А. Э.; Жамойть, А. Е.; Ланин, В. Л. (БНТУ, 2023)Разработан метод формирования контактных соединений между фотоприемной матрицей (ФПМ) и кремниевым мультиплексором (КМ) с использованием технологии перевернутого кристалла (Flip-Chip). В этом методе каждый фоточувствительный p-n переход ФПМ соединяется с соответствующей входной ячейкой КМ с помощью столбиков связи – бампов.2023-12-21 -
Методика формирования переходных отверстий в полиимиде с контролируемым углом наклона боковых стенок в процессе изготовления фотоприемной матрицы
Жамойть, А. Е.; Шидловский, А. Г.; Климович, Т. А.; Дмитрачук, А. Л. (Интегралполиграф, 2024)Разработан процесс формирования переходных отверстий в полиимиде с контролируемым углом наклона боковых стенок в процессе изготовления неохлаждаемого теплового детектора болометрического типа методом плазмохимического травления с использованием жесткой металлической маски на основе пленки ванадия.2025-02-05 -
Получение электрического контакта к слою алюминия металлизацией формируемой методом взрывной фотолитографии
Жамойть, А. Е.; Козодоев, С. В.; Занько, А. И.; Видрицкий, А. Э. (БНТУ, 2023)Исследованы способы достижения электрического контакта к алюминию металлизацией Ti/Ni/Au формируемого методом взрывной фотолитографии (lift-off). Получены электрические контакты с применением ионной очистки длительностью 30 минут и отжиге 450 °С сопротивлением 1,5–5 Ом на контакт.2023-12-21