Now showing items 1-2 of 2

    • Геттерирование кислорода на захороненный дефектный слой, созданный имплантацией водорода 

      Францкевич, А. В.; Францкевич, Н. В.; Журавкевич, Е. В.; Федотов, А. К.; Мазаник, А. В.; Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А. (Наука, 2004)
      Полученный способом Чохральского кремний, после имплантации водородом или гелием с энергией 100 кэВ и дозами (2-4) • 10^16 см^-2, обрабатывался в кислородной плазме постоянного разряда при температурах 250 или 500°С, а затем отжигался в вакууме в течение 4 ч при температурах 250 или 500°С. Методом масс-спектрометрии вторичных ионов обнаружено накопление кислорода на глубине ...
      2016-12-16
    • Формирование глубинных наноразмерных слоев силицидов и диэлектриков в кремнии 

      Францкевич, Н. В.; Шеденков, С. И.; Федотов, А. К.; Мазаник, А. В.; Рау, Э. И.; Кулинкаускас, В. С. (2010)
      Объектом исследования являются пластины кремния, содержащие глубинные слои и иные дефекты, сформированные посредством имплантации и последующего геттерирования на них примесей. Цель работы – разработка принципов формирования областей с особыми свойствами в пластинах кремния посредством имплантации водорода, гелия или аргона и последующей плазменной обработки. Основные методы ...
      2012-03-20