В настоящей работе предлагается автоматизированный метод регистрации ВАХ двухполюсников, рассчитанный на широкий спектр ПП или приборных структур.

Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiNx/Si. Концентрация избыточных атомов кремния в пленке SiNx, толщиной ~200 нм, увеличивалась от 16 до 77 % по мере продвижения вглубь образца. Обсуждаются эффект переключения сопротивления и механизмы проводимости в состояниях с высоким и низким сопротивлением. Для данной структуры ...

Климович, И. М. Реактивное магнетронное нанесение твердых нанокомпозитных покрытий TiAlN с использованием оптического метода контроля / И. М. Климович, В. В. Пилько, И. А. Романов // Новые направления развития приборостроения : материалы 7-й Международной студенческой научно-технической конференции, 23-25 апреля 2014 г. / редкол. О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2014. – С. 277.

Управляемое реактивное магнетронное нанесение TiAlN покрытий / И. М. Климович [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 330-332.

Установка для измерения спектров электролюминесценции диэлектрических структур на основе оксида и нитрида кремния в системе электролит-диэлектрик-полупроводник / И. А. Романов [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : ...