Browsing by Author "Солодуха, В. А."

Now showing items 1-13 of 13

    • Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф. (БНТУ, 2017)
      Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : ...
      2018-02-08

    • Измерение глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин методом оже-спектроскопии 

      Солодуха, В. А.; Белоус, А. И.; Чигирь, Г. Г. (БНТУ, 2016)
      Предложен метод измерения глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин, основанный на использовании оже-спектрометра с прецизионным распылением поверхностных слоев кремния и регистрацией интенсивности выхода оже-электронов. Для измерения глубины нарушенного слоя с помощью оже-спектроскопии снимается зависимость количества выходящих оже-электронов от времени распыления ...
      2016-07-27

    • Контроль параметров границы раздела кремний-двуокись кремния после быстрой термообработки методами исследования вольтфарадных характеристик и зондовой электрометрии 

      Жарин, А. Л.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Пантелеев, К. В.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А. (БНТУ, 2018)
      Контроль параметров границы раздела кремний-двуокись кремния после быстрой термообработки методами исследования вольтфарадных характеристик и зондовой электрометрии / А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : ...
      2019-04-17

    • Методы и средства фотостимулированной зондовой электрометрии для контроля параметров полупроводниковых пластин 

      Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Тявловский, А. К. (БНТУ, 2016)
      Методы и средства фотостимулированной зондовой электрометрии для контроля параметров полупроводниковых пластин / А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 12-14.
      2017-02-28

    • Мониторинг технологического процесса герметизации интегральных схем 

      Солодуха, В. А.; Турцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Рубцевич, И. И.; Керенцев, А. Ф.; Довженко, А. А.; Чирко, И. В. (БНТУ, 2013)
      Высокая надежность интегральных схем специального назначения в металлокерамических корпусах на стадии производства достигается в результате минимизации содержания влаги в корпусе и постоянного измерения параметров среды герметизации. Показано, что использование приборов контроля режимов контактной сварки и приборов для комплексного измерения параметров атмосферы установки ...
      2013-12-02

    • Повышение надежности мощных транзисторов при циклическом воздействии температуры 

      Волкенштейн, С. С.; Солодуха, В. А.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф.; Хмыль, А. А. (БНТУ, 2017)
      Повышение надежности мощных транзисторов при циклическом воздействии температуры / С. С. Волкенштейн [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 284-285.
      2018-02-07

    • Сравнение методов T3Ster и тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии для исследования структуры внутреннего теплового сопротивления полупроводниковых приборов 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2017)
      Сравнение методов T3Ster и тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии для исследования структуры внутреннего теплового сопротивления полупроводниковых приборов / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ...
      2018-02-05

    • Структура планарной поверхности кремниевых пластин до и после быстрой термообработки 

      Пилипенко, В. А.; Сергейчик, А. А.; Шестовский, Д. В.; Солодуха, В. А. (БНТУ, 2024)
      На сегодня важной задачей при создании современных изделий микроэлектроники является устранение на поверхности пластин механически нарушенного слоя. Быстрая термообработка оптическими импульсами секундной длительности является одним из методов устранения нарушений кристаллической решётки, возникающих после ионного легирования. Однако, остался открытым вопрос восстановления ...
      2024-07-16

    • Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля 

      Маркевич, М. И.; Чапланов, А. М.; Малышко, А. Н.; Солодуха, В. А.; Соловьев, Я. А.; Сарычев, О. Э.; Щербакова, Е. Н. (2014)
      Диоды Шоттки находят широкое применение в системах электроники. В настоящей работе определена высота барьера диодов Шоттки, сформированных на основе тонкоплёночной системы NiV-Pt при различных режимах отжига. Методами электронографии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы изменения элементного состава и установлены фазовые превращения, происходящие в данных системах при ...
      2021-01-20

    • Характеризация электрофизических свойств границы раздела кремний-двуокись кремния с использованием методов зондовой электрометрии 

      Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Филипеня, В. А.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2017)
      Анализ микронеоднородностей в системе кремний-двуокись кремния становится наиболее актуальным в связи с переходом микроэлектронной промышленности к субмикронным проектным нормам и уменьшением толщины подзатворного диэлектрика. Целью исследования являлось развитие методов неразрушающего контроля полупроводниковых пластин на основе определения электрофизических свойств границы ...
      2017-12-15

    • Эволюция спектров теплового сопротивления мощных моп транзисторов КП723 и КП7209 при воздействии высокоинтенсивных 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф. (БНТУ, 2017)
      Эволюция спектров теплового сопротивления мощных моп транзисторов КП723 и КП7209 при воздействии высокоинтенсивных / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - ...
      2018-02-08

    • Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов 

      Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Чигирь, Г. Г.; Филипеня, В. А.; Горушко, В. А. (БНТУ, 2018)
      Ключевым элементом, определяющим стабильность полупроводниковых приборов, является подзатворный диэлектрик. По мере уменьшения его толщины в процессе масштабирования растет совокупный объем факторов, определяющих его электрофизические свойства. Целью данной работы являлась разработка экспрессного метода контроля времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика и исследование ...
      2019-01-02

    • Электрофизический метод контроля параметров автомобильных масел 

      Карпович, И. А.; Лебедев, В. И.; Молчанов, А. Г.; Солодуха, В. А.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2018)
      Электрофизический метод контроля параметров автомобильных масел / И. А. Карпович [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 199-201.
      2019-04-23