Метод измерения параметров глубоких центров в полупроводниковых структурах в условиях сильного электрического поля
| dc.contributor.author | Сопряков, В. И. | ru |
| dc.contributor.author | Пастухова, О. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2021-09-30T05:36:08Z | |
| dc.date.available | 2021-09-30T05:36:08Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.identifier.citation | Сопряков, В. И. Метод измерения параметров глубоких центров в полупроводниковых структурах в условиях сильного электрического поля / В. И. Сопряков, О. В. Пастухова // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Седьмой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2009. – Т. 1. – С. 425. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/102885 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Метод измерения параметров глубоких центров в полупроводниковых структурах в условиях сильного электрического поля | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
