| dc.contributor.author | Бумай, Ю. А. | ru |
| dc.contributor.author | Васьков, О. С. | ru |
| dc.contributor.author | Нисс, В. С. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:15Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:15Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Бумай, Ю. А. Аппаратура и метод анализа переходных электрических процессов при исследованиях тепловых параметров мощных полупроводниковых приборов = Equipment and method of analysis of transient electrical processes in studies of thermal parameters of high-power semiconductor devices / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, В. С. Нисс // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 37-39. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109574 | |
| dc.description.abstract | Разработан импеданс- спектрометр тепловых процессов и метод, позволяющие на основе переходных электрических процессов анализировать внутреннюю структуру тепловых сопротивлений мощных полупроводниковых приборов и представлять ее в виде спектра тепловых сопротивлений, соответствующих элементам их конструкций. Разработан метод получения профилей распределения теплового потока по элементам структуры приборов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Аппаратура и метод анализа переходных электрических процессов при исследованиях тепловых параметров мощных полупроводниковых приборов | ru |
| dc.title.alternative | Equipment and method of analysis of transient electrical processes in studies of thermal parameters of high-power semiconductor devices | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | An impedance spectrometer of thermal processes and a method have been developed, which allow analyzing the internal structure of thermal resistances of high-power semiconductor devices on the basis of transient electrical processes and presenting it in the form of a spectrum of thermal resistances corresponding to the elements of their designs. A method for obtaining heat flow distribution profiles for the elements of the device structure has been developed. | ru |
