Лазерно-индуцированные теплофизические процессы в эпитаксиальных германий-кремниевых гетероструктурах
Another Title
Laser-induced thermophysical processes in epitaxial germanium-silicon heterostructures
Bibliographic entry
Гацкевич, Е. И. Лазерно-индуцированные теплофизические процессы в эпитаксиальных германий-кремниевых гетероструктурах = Laser-induced thermophysical processes in epitaxial germanium-silicon heterostructures / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев, В. Л. Малевич // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 393-395.
Abstract
Изучено перераспределении элементов по глубине в эпитаксиальных GeSi слоях при облучении наносекундными импульсами рубинового лазера. Проанализировано влияние сегрегации на формирование ячеистых структур в неравновесных условиях импульсного воздействия.
Abstract in another language
The redistribution of elements in epitaxial GeSi layers under irradiation with nanosecond pulses of a ruby laser has been studied. The effect of segregation on the formation of cellular structures under nonequilibrium conditions of impulse influence is discussed.