| dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | ru |
| dc.contributor.author | Ивлев, Г. Д. | ru |
| dc.contributor.author | Малевич, В. Л. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:18Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:18Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Гацкевич, Е. И. Лазерно-индуцированные теплофизические процессы в эпитаксиальных германий-кремниевых гетероструктурах = Laser-induced thermophysical processes in epitaxial germanium-silicon heterostructures / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев, В. Л. Малевич // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 393-395. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109600 | |
| dc.description.abstract | Изучено перераспределении элементов по глубине в эпитаксиальных GeSi слоях при облучении наносекундными импульсами рубинового лазера. Проанализировано влияние сегрегации на формирование ячеистых структур в неравновесных условиях импульсного воздействия. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Лазерно-индуцированные теплофизические процессы в эпитаксиальных германий-кремниевых гетероструктурах | ru |
| dc.title.alternative | Laser-induced thermophysical processes in epitaxial germanium-silicon heterostructures | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The redistribution of elements in epitaxial GeSi layers under irradiation with nanosecond pulses of a ruby laser has been studied. The effect of segregation on the formation of cellular structures under nonequilibrium conditions of impulse influence is discussed. | ru |
