Лазер на кристалле Pr:YLF при накачке InGaN лазерным диодом

Демеш, М. П.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Низамутдинов, А. С.; Морозов, О. С.; Кораблева, С. Л.; Семашко, В. В.

Authors

Date

2021

Publisher

БНТУ

Another Title

Pr:YLF laser pumped by InGaN laser diode

Bibliographic entry

Лазер на кристалле Pr:YLF при накачке InGaN лазерным диодом = Pr:YLF laser pumped by InGaN laser diode / М. П. Демеш [и др.] // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 405-407.

Abstract

На основе абсорбционно-люминесцентных свойств кристалла литий-иттриевого фторида, активированного ионами празеодима, определны требования к InGaN лазерным диодам, рассчитаны система фокусировки и резонатор Pr:YLF лазера, генерирующего на переходе 3Р1 → 3Н5. Выходная мощность лазерного излучения составила 0,5 Вт.

Abstract in another language

Based on the absorption-luminescence properties of praseodymium doped lithium-yttrium fluoride crystal the requirements for InGaN laser diodes are determined. The focusing system and resonator of a Pr: YLF laser generating at the 3P1 → 3H5 transition are designed. Аn output power of 0.5 W was achieved.