| dc.contributor.author | Демеш, М. П. | ru |
| dc.contributor.author | Кисель, В. Э. | ru |
| dc.contributor.author | Кулешов, Н. В. | ru |
| dc.contributor.author | Низамутдинов, А. С. | ru |
| dc.contributor.author | Морозов, О. С. | ru |
| dc.contributor.author | Кораблева, С. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Семашко, В. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:19Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:19Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Лазер на кристалле Pr:YLF при накачке InGaN лазерным диодом = Pr:YLF laser pumped by InGaN laser diode / М. П. Демеш [и др.] // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 405-407. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109606 | |
| dc.description.abstract | На основе абсорбционно-люминесцентных свойств кристалла литий-иттриевого фторида, активированного ионами празеодима, определны требования к InGaN лазерным диодам, рассчитаны система фокусировки и резонатор Pr:YLF лазера, генерирующего на переходе 3Р1 → 3Н5. Выходная мощность лазерного излучения составила 0,5 Вт. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Лазер на кристалле Pr:YLF при накачке InGaN лазерным диодом | ru |
| dc.title.alternative | Pr:YLF laser pumped by InGaN laser diode | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Based on the absorption-luminescence properties of praseodymium doped lithium-yttrium fluoride crystal the requirements for InGaN laser diodes are determined. The focusing system and resonator of a Pr: YLF laser generating at the 3P1 → 3H5 transition are designed. Аn output power of 0.5 W was achieved. | ru |
