Проведены исследования и подбор технологических режимов лазерного скрайбирования пластин сапфира толщиной 100 мкм с использованием импульсного волоконного наносекундного лазера с длиной волны 355 нм и средней мощностью излучения 3 Вт и частотой следования импульсов 300 кГц для создания изделий электроники.