Browsing Материалы конференции по статьям by Author "Сычик, В. А."

Now showing items 1-4 of 4

    • Источник холодной воды 

      Сычик, В. А.; Русан, В. И.; Уласюк, Н. Н. (БНТУ, 2023)
      Источник холодной воды, содержащий теплообменник, систему орошения воздуха, патрубок подачи воздуха, снабжен холодильной машиной с воздушным и водяным конденсаторами, дополнительным теплообменником и контроллером.
      2023-12-21

    • Полупроводниковый светодиодный элемент 

      Сычик, В. А.; Уласюк, Н. Н. (БНТУ, 2023)
      Полупроводниковый светодиодный элемент, содержащий p- и n-слой, омические контакты к ним, выполнен p-i-n структурой из широкозонного полупроводника с сильнорегированными p+- и n+- слоями толщиной (0,7–0,9)Ld, а толщина i-слоя собственной проводимости равна (1,1–1,6)Ld, где Ld – диффузионная длина носителей заряда.
      2023-12-21

    • Синтез полупроводникового преобразователя солнечной энергии 

      Сычик, В. А.; Глухманчук, В. В.; Уласюк, Н. Н. (БНТУ, 2023)
      Предложен метод синтеза структуры полупроводникового преобразователя солнечной энергии в электрическую, при котором изготавливают диэлектрическую подложку с синусоидальным периодическим профилем поверхности, формируют на этой поверхности первый омический контакт и последовательно наносят на образовавшуюся структуру сильнолегированный p+-слой из одного широкозонного полупроводника, ...
      2023-12-21

    • Термоэлектрический холодильный элемент 

      Сычик, В. А.; Шумило, В. С.; Уласюк, Н. Н. (БНТУ, 2023)
      Термоэлектрический холодильный элемент содержит p- и n-полупроводниковые области с омическими контактами, n-p гетероперехода, толщина контактирующей с гетеропереходом n-области составляет (0,5–0,8)L, толщина контактирующей с гетеропереходом p-области составляет (2–5)L, где L – диффузионная длина пробега электронов, причем n-полупроводник является узко зонным, а p-полупроводник – ...
      2023-12-21