Термоэлектрический холодильный элемент содержит p- и n-полупроводниковые области с омическими контактами, n-p гетероперехода, толщина контактирующей с гетеропереходом n-области составляет (0,5–0,8)L, толщина контактирующей с гетеропереходом p-области составляет (2–5)L, где L – диффузионная длина пробега электронов, причем n-полупроводник является узко зонным, а p-полупроводник – ...