Show simple item record

dc.contributor.authorРеутская, О. Г.
dc.contributor.authorДенисюк, С. В.
dc.contributor.authorКуданович, О. Н.
dc.contributor.authorМухуров, Н. И.
dc.contributor.authorТаратын, И. А.
dc.contributor.authorЛугин, В. Г.
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2023-12-12T11:19:09Z
dc.date.available2023-12-12T11:19:09Z
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationМодифицирование оксидом олова газочувствительных слоёв из оксида индия для повышения эффективности газовых сенсоров = Tin Oxide Modification of Indium Oxide Gas Sensitive Layers to Increase Efficiency of Gas Sensors / О. Г. Реутская [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2023. – Т. 14, № 4. – С. 284-295.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/138379
dc.description.abstractМониторинг присутствия посторонних примесей в воздухе относится к одному из актуальных направлений детектирования газов для применения в промышленности и быту. Повышение требований к контролю содержания взрывоопасных и токсичных газов на уровне предельно допустимых концентраций при высокой селективности определяет необходимость совершенствования существующих газоаналитических приборов. Целью настоящей работы являлось исследование методик формирования и элементного состава плёнок оксида индия, модифицированных оксидом олова, на поверхности тонкоплёночных элементов газовых сенсоров, как одних из перспективных соединений для повышения эффективности детектирования взрывоопасных и токсичных газов в окружающей среде. В результате проведённых исследований изучены процессы формирования газочувствительных плёнок, нанесённых на поверхность информационных электродов из сплава нихром. В качестве образцов для проведения исследований были выбраны подложки анодного оксида алюминия площадью 10 × 10 мм2 и толщиной 45 ± 0,5 мкм. На поверхности образцов формировали слой из сплава нихром (Ni – 80 %, Cr – 20 %) толщиной ≈ 0,3 мкм методом ионно-плазменного нанесения материалов в вакууме и пленки из оксида индия с добавкой оксида олова толщинами от ≈ 0,3 мкм до ≈ 1,0 мкм с применением золь-гель технологии. Для пяти образцов провели нанесение газочувствительных плёнок разными методиками формирования слоёв и режимами термообработки. Методами сканирующей электронной микроскопии определили морфологию полученных модифицированных плёнок и их элементный состав. Сплошные полупроводниковые пленки были получены при многослойном нанесении золь-гель пасты. При температурах отжига в вакууме 700 °С и выше наблюдается растрескивание полупроводниковых плёнок до слоя из сплава нихром. Развитая поверхность газочувствительных пленок позволяет достигать высокую чувствительность и эффективность полупроводниковых датчиков при контроле газового состава воздуха.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.titleМодифицирование оксидом олова газочувствительных слоёв из оксида индия для повышения эффективности газовых сенсоровru
dc.title.alternativeTin Oxide Modification of Indium Oxide Gas Sensitive Layers to Increase Efficiency of Gas Sensorsru
dc.typeArticleru
dc.identifier.doi10.21122/2220-9506-2023-14-4-284-295
local.description.annotationMonitoring of air pollutions is one of actual trends in the development of industrial and domestic instrumentation. There are sets of tasks for improving gas analytical instruments because of increasing demand for control of a concentration of explosive and toxic gases on a level with maximum allowable concentration. The aim of the paper was to investigate the methods of formation and elemental composition of indium oxide films modified with tin oxide on the surface of gas sensor elements as one of the promising compounds for improving the detection efficiency of explosive and toxic gases in the environment. The processes of formation of gas-sensitive films deposited on the surface of nichrome alloy information electrodes were studied in this article. Substrates of anodic aluminum oxide with area of 10 × 10 mm2 and a thickness of 45 ± 0,5 μm were chosen for research. Two layers on the surface of the samples were formed. The first layer was formed from NiCr alloy (Ni – 80 %, Cr – 20 %) with a thickness of ≈ 0.3 μm by ion-plasma sputtering. The second layer was based on indium oxide with addition of tin oxide with thicknesses from ≈ 0.3 μm to ≈ 1.0 μm and coated with sol-gel technology. Five samples of gas-sensitive films were formed with different methods of deposition and heat treatment. Scanning electron microscopy was used for study of films’ morphology and elemental compositions of samples. The most perfect continuous semiconductor films were obtained by multilayer applying of a sol-gel paste. When semiconductor films were processed at annealing temperatures of 700 °C and higher in vacuum so there was observed cracking of semiconductor films up to a layer of NiCr alloy. The developed surface of gas-sensitive films allows to reach high sensitivity and affectivity of semiconductor sensors for control of air gas composition.ru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record