Кремниевый фотодиод c профилированным n-i-p переходом для cцинтилляционных устройств
Bibliographic entry
Блынский, В. И. Кремниевый фотодиод c профилированным n-i-p переходом для cцинтилляционных устройств / В. И. Блынский, А. М. Лемешевская, Е. С. Голуб // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 33-35.
Abstract
В работе рассматривается конструкция и спектральная характеристика кремниевого фотодиода с профилированным n-i-p переходом. Его особенностью является высокая чувствительность в видимой области спектра при относительно низкой чувствительности к инфракрасному излучению.