Кремниевый фотодиод c профилированным n-i-p переходом для cцинтилляционных устройств
| dc.contributor.author | Блынский, В. И. | ru |
| dc.contributor.author | Лемешевская, А. М. | ru |
| dc.contributor.author | Голуб, Е. С. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2015-03-16T07:42:27Z | |
| dc.date.available | 2015-03-16T07:42:27Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.identifier.citation | Блынский, В. И. Кремниевый фотодиод c профилированным n-i-p переходом для cцинтилляционных устройств / В. И. Блынский, А. М. Лемешевская, Е. С. Голуб // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 33-35. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/14775 | |
| dc.description.abstract | В работе рассматривается конструкция и спектральная характеристика кремниевого фотодиода с профилированным n-i-p переходом. Его особенностью является высокая чувствительность в видимой области спектра при относительно низкой чувствительности к инфракрасному излучению. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Кремниевый фотодиод c профилированным n-i-p переходом для cцинтилляционных устройств | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
