Моделирование конструкции лавинных фотодиодов с охранными областями для регистрации маломощных световых потоков
Date
2011Publisher
xmlui.dri2xhtml.METS-1.0.item-identifier-udc
621.382.001.63Bibliographic entry
Корытко, Н. Н. Моделирование конструкции лавинных фотодиодов с охранными областями для регистрации маломощных световых потоков / Н. Н. Корытко, В. Б. Залесский, В. С. Малышев, В. В. Хатько // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal / гл. ред. Романюк Ф.А. ; кол. авт. Министерство образования Республики Беларусь ; кол. авт. Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2011. – №1(2). – С.32–39.
Abstract
Проведено моделирование конструкции охранной области и величины напряжения пробоя лавинного фотодиода со структурой диода Рида. Показано влияние полевой
обкладки с системой охранных колец на область пробоя n+-p перехода и предложен
метод ее реализации. Установлен требуемый профиль примеси в эпитаксиальной пленке
при концентрации примеси в подложке ~2,5·1014 см-3, определены пробивные напряжения диода с охранными кольцами, распределение в нем электрического поля и области пробоя.
View/ Open
Collections
- №1 ( 2 )[19]