Show simple item record

dc.contributor.authorКлимович, И. М.ru
dc.contributor.authorКулешов, В. Н.ru
dc.contributor.authorЗайков, В. А.ru
dc.contributor.authorБурмаков, А. П.ru
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.ru
dc.contributor.authorЛюдчик, О. Р.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2015-12-30T08:15:21Z
dc.date.available2015-12-30T08:15:21Z
dc.date.issued2015
dc.identifier.citationКлимович, И. М. и др. Система контроля расхода газов для применения в технологии реактивного магнетронного распыления = Gas flow control system in reactive magnetron sputtering technology / И.М. Климович, В.Н. Кулешов, В.А. Зайков, А.П. Бурмаков, Ф.Ф. Комаров, О.Р. Людчик // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал. – 2015. – Т. 6, № 2. – С. 139–147.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/20418
dc.description.abstractНеустойчивость параметров разряда и химического состава потоков частиц, поступающих на подложку, в переходных режимах реактивного магнетронного распыления приводит к невоспроизводимости состава покрытий от процесса к процессу. Целью настоящей работы являлась разработка системы контроля расхода газа, позволяющая стационарно поддерживать неравновесное состояние магнетронного разряда в переходных режимах осаждения с неустойчивым химическим состоянием поверхности мишени. В качестве параметров контроля предложено использовать интенсивности элементов эмиссионного спектра разряда. Для регистрации интенсивностей спектральных элементов (спектральные линии и полосы химических элементов, присутствующих в разряде) применяли фотодиодные датчики. Система контроля расхода газа автоматически регулирует подачу аргона и реактивного газа, используя сигналы обратной связи с оптических датчиков интенсивности спектральных элементов разряда, вакуумметра, датчиков ионного тока, разрядного тока и напряжения. В качестве примера использования системы рассмотрен процесс реактивного магнетронного нанесения покрытий Ti-Al-N. В ходе распыления составной мишени на основе Ti с цилиндрическими Al вставками контролировались следующие параметры разряда: ток, напряжение, суммарное давление смеси аргон – реактивный газ, температура подложки, напряжение и ток смещения на подложке. Напуск азота контролировался по интенсивности спектральной линии титана TiI 506,5 нм, величина интенсивности которой связана со степенью реактивности. Элементный состав и структура сформированных покрытий Ti-Al-N исследовались с помощью резерфордовского обратного рассеяния, растровой электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа. Установлено, что в осажденных покрытиях Ti‑Al‑N стехиометрического состава столбчатая микроструктура переходит в лобулярную микроструктуру, с повышенной твердостью и низким коэффициентом трения покрытия. Таким образом, показано, что система контроля расхода газа позволяет контролировать стехиометрию состава и физические свойства осаждаемого покрытия.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.subjectРеактивное магнетронное распылениеru
dc.subjectСистема управления расходом газовru
dc.subjectTi-Al-Nru
dc.subjectРезерфордовское обратное рассеяниеru
dc.subjectРентгеноструктурный анализru
dc.titleСистема контроля расхода газов для применения в технологии реактивного магнетронного распыленияru
dc.title.alternativeGas flow control system in reactive magnetron sputtering technologyen
dc.typeArticleru
dc.relation.journalПриборы и методы измеренийru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record