dc.contributor.author | Климович, И. М. | ru |
dc.contributor.author | Кулешов, В. Н. | ru |
dc.contributor.author | Зайков, В. А. | ru |
dc.contributor.author | Бурмаков, А. П. | ru |
dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | ru |
dc.contributor.author | Людчик, О. Р. | ru |
dc.coverage.spatial | Минск | ru |
dc.date.accessioned | 2015-12-30T08:15:21Z | |
dc.date.available | 2015-12-30T08:15:21Z | |
dc.date.issued | 2015 | |
dc.identifier.citation | Климович, И. М. и др. Система контроля расхода газов для применения в технологии реактивного магнетронного распыления = Gas flow control system in reactive magnetron sputtering technology / И.М. Климович, В.Н. Кулешов, В.А. Зайков, А.П. Бурмаков, Ф.Ф. Комаров, О.Р. Людчик // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал. – 2015. – Т. 6, № 2. – С. 139–147. | ru |
dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/20418 | |
dc.description.abstract | Неустойчивость параметров разряда и химического состава потоков частиц, поступающих на подложку, в переходных режимах реактивного магнетронного распыления приводит к невоспроизводимости состава покрытий от процесса к процессу. Целью настоящей работы являлась разработка системы контроля расхода газа, позволяющая стационарно поддерживать неравновесное состояние магнетронного разряда в переходных режимах осаждения с неустойчивым химическим состоянием поверхности мишени. В качестве параметров контроля предложено использовать интенсивности элементов эмиссионного спектра разряда. Для регистрации интенсивностей спектральных элементов (спектральные
линии и полосы химических элементов, присутствующих в разряде) применяли фотодиодные датчики. Система контроля расхода газа автоматически регулирует подачу аргона и реактивного газа, используя сигналы обратной связи с оптических датчиков интенсивности спектральных элементов разряда, вакуумметра, датчиков ионного тока, разрядного тока и напряжения. В качестве примера использования
системы рассмотрен процесс реактивного магнетронного нанесения покрытий Ti-Al-N. В ходе распыления составной мишени на основе Ti с цилиндрическими Al вставками контролировались следующие параметры разряда: ток, напряжение, суммарное давление смеси аргон – реактивный газ, температура подложки, напряжение и ток смещения на подложке. Напуск азота контролировался по интенсивности
спектральной линии титана TiI 506,5 нм, величина интенсивности которой связана со степенью реактивности. Элементный состав и структура сформированных покрытий Ti-Al-N исследовались с помощью резерфордовского обратного рассеяния, растровой электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа. Установлено, что в осажденных покрытиях Ti‑Al‑N стехиометрического состава столбчатая микроструктура переходит в лобулярную микроструктуру, с повышенной твердостью и низким коэффициентом трения покрытия. Таким образом, показано, что система контроля расхода газа позволяет контролировать стехиометрию состава и физические свойства осаждаемого покрытия. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БНТУ | ru |
dc.subject | Реактивное магнетронное распыление | ru |
dc.subject | Система управления расходом газов | ru |
dc.subject | Ti-Al-N | ru |
dc.subject | Резерфордовское обратное рассеяние | ru |
dc.subject | Рентгеноструктурный анализ | ru |
dc.title | Система контроля расхода газов для применения в технологии реактивного магнетронного распыления | ru |
dc.title.alternative | Gas flow control system in reactive magnetron sputtering technology | en |
dc.type | Article | ru |
dc.relation.journal | Приборы и методы измерений | ru |