2011: Recent submissions
Now showing items 41-42 of 42
-
Разработка нового прибора для магнитной структуроскопии на основе особенностей гистерезиса остаточной намагниченности при импульсном перемагничивании изделия
(БНТУ, 2011)Описано явление гистерезиса нормальной составляющей напряженности поля остаточной намагниченности при локальном импульсном перемагничивании ферромагнитных изделий и использование его особенностей для контроля качества закалки и отпуска изделий из среднеуглеродистых сталей, а также толщины и твердости поверхностно-упрочненных слоев изделий, подвергшихся закалке ТВЧ. Приводятся принцип ...2012-03-26 -
Разработка низкотемпературных сенсоров магнитного поля на основе гетероструктур Si/SiO2/Ni
(БНТУ, 2011)На основе исследования гетероструктур Si/SiO2/Ni, полученных с использованием метода треков быстрых тяжелых ионов, представлены данные их электрических и магниторезистивных характеристик. Установлено наличие положительного магнитосопротивления, растущего с понижением температуры и достигающего при Т~25 К величины 600 %, что позволяет создать высокочувствительные сенсоры магнитного ...2012-03-26
