Гацкевич, Е. И. Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного излучения / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 3. - С. 405.