Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного излучения
| dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | ru |
| dc.contributor.author | Ивлев, Г. Д. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2016-04-28T10:38:58Z | |
| dc.date.available | 2016-04-28T10:38:58Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.identifier.citation | Гацкевич, Е. И. Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного излучения / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 3. - С. 405. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/23445 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного излучения | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
