| dc.contributor.author | Кушнер, Л. К. | ru |
| dc.contributor.author | Кузьмар, И. И. | ru |
| dc.contributor.author | Степанова, Л. И. | ru |
| dc.contributor.author | Лазарук, С. К. | ru |
| dc.contributor.author | Василец, В. К. | ru |
| dc.contributor.author | Хмыль, А. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2018-05-03T06:53:01Z | |
| dc.date.available | 2018-05-03T06:53:01Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.identifier.citation | Металлизация отверстий при создании межсоединений элементов ИМС / Л. К. Кушнер [и др.] // Новые горизонты - 2015 : сборник материалов Белорусско-Китайского молодежного инновационного форума, 26–27 ноября 2015 г. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 202-203. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/40941 | |
| dc.description.abstract | Metall filling of Through Silicon Vias (TSV), as one of the critical and enabling technologies for Three Dimensional Packaging, is presented in this paper. Copper electroplating techniques are investigated for the filling and metallization of vias. The results are demonstrated in this paper. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Металлизация отверстий при создании межсоединений элементов ИМС | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
