Кремний-германиевые приборные наноструктуры 
для применения в оптоэлектронике

Мудрый, А. В.; Мофиднахаи, Ф.; Короткий, А. В.; Двуреченский, А. В.; Смагина, Ж. В.; Володин, В. А.; Новиков, П. Л.

Authors

Date

2012

Publisher

БНТУ

xmlui.dri2xhtml.METS-1.0.item-identifier-udc

621.315.592

Bibliographic entry

Кремний-германиевые приборные наноструктуры для применения в оптоэлектронике / Мудрый А. В., Мофиднахаи Ф., Короткий А.В., Двуреченский А. В., Смагина Ж. В., Володин В. А., Новиков П. Л. // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal / гл. ред. Гусев О. К. ; кол. авт. Министерство образования Республики Беларусь ; кол. авт. Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2012. – №1(4). – С. 44 - 50.

Abstract

Исследовано влияние технологических параметров (температура подложки, количество слоев Ge, ионная обработка) на оптические свойства Si/Ge наноструктур с квантовыми точками Ge. В спектрах комбинационного рассеянии света Si/Ge наноструктур наблю-дались линии, связанные с Si-Si, Ge-Ge и Si-Ge колебательными модами. Обработка Si/Ge наноструктур в плазме водорода приводит к изменению спектральной формы и значительному увеличению интенсивности полосы люминесценции в области энергии 0,8 эВ, связанной с излучательной рекомбинацией неравновесных носителей заряда (электронов, дырок) на квантовых точках Ge, что важно для повышения квантового выхода люминесценции приборных структур, создаваемых на основе нанослоев Si и квантовых точек Ge.