Высокочастотный Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 микрочип-лазер с продольной диодной накачкой

Горбаченя, К. Н.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Кулешов, Н. В.; Мальцев, В. В.; Леонюк, Н. И.

Authors

Date

2012

Publisher

БНТУ

xmlui.dri2xhtml.METS-1.0.item-identifier-udc

621.3.038.825.2

Bibliographic entry

Высокочастотный Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 микрочип-лазер с продольной диодной накачкой / Горбаченя К. Н., Кисель В. Э., Ясюкевич А. С., Кулешов Н. В., Мальцев В. В., Леонюк Н. И. // Приборы и методы измерений: научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal / гл. ред. Гусев О. К. ; кол. авт. Министерство образования Республики Беларусь ; кол. авт. Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2012. – №2 (5). – С. 79 - 82.

Abstract

Представлены генерационные характеристики микрочип-лазера на кристалле Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 в режиме пассивной модуляции добротности для применения в дальнометрии. При использовании кристалла Co2+:MgAl2O4 в качестве пассивного затвора максимальная средняя выходная мощность составила 315 мВт на длине волны 1522 нм c длительностью импульсов 5 нс и энергией 5,25 мкДж при частоте следования 60 кГц.