Browsing Т. 9, № 2 by Author "Горбачук, Н. И."
Now showing items 1-1 of 1
-
Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов
Поклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2018)Научный и практический интерес представляет изучение полупроводниковых материалов и приборов с узким слоем атомов примесей и/или собственных точечных дефектов кристаллической решетки. Цель работы – рассчитать электрические параметры симметричного кремниевого диода, в плоском p–n-переходе которого сформирован δ-слой точечных трехзарядных t-дефектов. Такой диод называется p–t–n-диодом, ...2018-06-18