Browsing Приборостроение-2019 by Author "Оджаев, В. Б."
Now showing items 1-4 of 4
-
Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления
Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2019)Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 347-348.2020-01-03 -
Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов
Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 345-346.2020-01-03 -
Контроль процесса модификации ионной имплантацией пленок полиэтилентерефталата методами ЭПР, люминесценции и РЭМ
Олешкевич, А. Н.; Оджаев, В. Б.; Мудрый, А. В.; Сернов, С. П.; Самбуу, Мунхцэцэг; Лапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М. (БНТУ, 2019)Контроль процесса модификации ионной имплантацией пленок полиэтилентерефталата методами ЭПР, люминесценции и РЭМ / А. Н. Олешкевич [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 457-459.2020-01-03 -
Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120
Бринкевич, Д. И.; Лапчук, Н. М.; Оджаев, В. Б.; Олешкевич, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2019)Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120 / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 196-198.2020-01-03