Browsing Приборостроение-2019 by Author "Петлицкий, А. Н."
Now showing items 1-4 of 4
-
Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления
Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2019)Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 347-348.2020-01-03 -
Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов
Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 345-346.2020-01-03 -
Зондовые электрометрические методы для измерения удельного электрического сопротивления ионно-легированных и диффузионных слоев
Тявловский, А. К.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2019)Зондовые электрометрические методы для измерения удельного электрического сопротивления ионно-легированных и диффузионных слоев / А. К. Тявловский [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 36-38.2020-01-03 -
Установка для бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметром до 200 мм
Свистун, А. И.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2019)Установка для бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметром до 200 мм / А. И. Свистун [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск ...2020-01-03