| dc.contributor.author | Исаев, И. Х. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2014-07-01T10:08:10Z | |
| dc.date.available | 2014-07-01T10:08:10Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.identifier.citation | Исаев, И. Х. Высокочастотные транзисторные генераторы для индукционного нагрева и закалки / И. Х. Исаев // Литье и металлургия. – 2011. – № 1 (59). – С. 176 - 178. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/8529 | |
| dc.description.abstract | С появлением силовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) появилась возможность создания на их базе мощных, высокоэффективных генераторов, обладающих значительными преимуществами по сравнению с теми, которые построены на генераторных лампах. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Высокочастотные транзисторные генераторы для индукционного нагрева и закалки | ru |
| dc.type | Article | ru |
| dc.identifier.udc | 621.74 | ru |
| dc.relation.journal | Литье и металлургия | ru |
