Анализ качества подзатворного диэлектрика МОП-структур по вольт-фарадным характеристикам
Authors
Date
2015Publisher
xmlui.dri2xhtml.METS-1.0.item-identifier-udc
621.382Bibliographic entry
Анализ качества подзатворного диэлектрика МОП-структур по вольт-фарадным характеристикам / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал. – 2015. – № 1 (10). – С. 94 - 98.
Abstract
Исследованы МОП-транзисторы методом вольт-фарадных характеристик, изготов
ленных в разное время, но по аналогичным технологическим маршрутам и при использовании идентичных технологических материалов. Установлено, что измерения вольт-фарадных характеристик МОП-структур позволяют проводить диагностику качества подзатворного диэлектрика. Вид и форма измеренных характеристик определяются величиной дополнительного положительного заряда в объеме диэлектрика и плотностью быстрых поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2, которые коррелируют с поверхностной концентрацией технологических примесей, адсорбированных на поверхности пластин в процессе изготовления приборов, что позволяет сделать заключение о качестве используемых материалов и соблюдении технологических режимов.
View/ Open
Collections
- №1 ( 10 )[17]