Show simple item record

dc.contributor.authorОджаев, В. Б.ru
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.ru
dc.contributor.authorПросолович, В. С.ru
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.ru
dc.contributor.authorШведов, С. В.ru
dc.contributor.authorЧерный, В. В.ru
dc.contributor.authorЯвид, В. Ю.ru
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2015-07-24T08:27:20Z
dc.date.available2015-07-24T08:27:20Z
dc.date.issued2015
dc.identifier.citationАнализ качества подзатворного диэлектрика МОП-структур по вольт-фарадным характеристикам / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал. – 2015. – № 1 (10). – С. 94 - 98.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/18007
dc.description.abstractИсследованы МОП-транзисторы методом вольт-фарадных характеристик, изготов ленных в разное время, но по аналогичным технологическим маршрутам и при использовании идентичных технологических материалов. Установлено, что измерения вольт-фарадных характеристик МОП-структур позволяют проводить диагностику качества подзатворного диэлектрика. Вид и форма измеренных характеристик определяются величиной дополнительного положительного заряда в объеме диэлектрика и плотностью быстрых поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2, которые коррелируют с поверхностной концентрацией технологических примесей, адсорбированных на поверхности пластин в процессе изготовления приборов, что позволяет сделать заключение о качестве используемых материалов и соблюдении технологических режимов.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.subjectВольт-фарадные характеристикиru
dc.subjectМОП-транзисторru
dc.subjectТехнологические примесиru
dc.titleАнализ качества подзатворного диэлектрика МОП-структур по вольт-фарадным характеристикамru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udc621.382ru
dc.relation.journalПриборы и методы измеренийru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record