dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | ru |
dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | ru |
dc.contributor.author | Просолович, В. С. | ru |
dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | ru |
dc.contributor.author | Шведов, С. В. | ru |
dc.contributor.author | Черный, В. В. | ru |
dc.contributor.author | Явид, В. Ю. | ru |
dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | ru |
dc.coverage.spatial | Минск | ru |
dc.date.accessioned | 2015-07-24T08:27:20Z | |
dc.date.available | 2015-07-24T08:27:20Z | |
dc.date.issued | 2015 | |
dc.identifier.citation | Анализ качества подзатворного диэлектрика МОП-структур по вольт-фарадным характеристикам / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал. – 2015. – № 1 (10). – С. 94 - 98. | ru |
dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/18007 | |
dc.description.abstract | Исследованы МОП-транзисторы методом вольт-фарадных характеристик, изготов
ленных в разное время, но по аналогичным технологическим маршрутам и при использовании идентичных технологических материалов. Установлено, что измерения вольт-фарадных характеристик МОП-структур позволяют проводить диагностику качества подзатворного диэлектрика. Вид и форма измеренных характеристик определяются величиной дополнительного положительного заряда в объеме диэлектрика и плотностью быстрых поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2, которые коррелируют с поверхностной концентрацией технологических примесей, адсорбированных на поверхности пластин в процессе изготовления приборов, что позволяет сделать заключение о качестве используемых материалов и соблюдении технологических режимов. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БНТУ | ru |
dc.subject | Вольт-фарадные характеристики | ru |
dc.subject | МОП-транзистор | ru |
dc.subject | Технологические примеси | ru |
dc.title | Анализ качества подзатворного диэлектрика МОП-структур по вольт-фарадным характеристикам | ru |
dc.type | Article | ru |
dc.identifier.udc | 621.382 | ru |
dc.relation.journal | Приборы и методы измерений | ru |