Фотоэлектронные умножители с многослойными пленочными экранами для защиты от воздействия внешних постоянных магнитных полей
Authors
Date
2012Publisher
xmlui.dri2xhtml.METS-1.0.item-identifier-udc
53.082.78; 669.018.5Bibliographic entry
Фотоэлектронные умножители с многослойными пленочными экранами для защиты от воздействия внешних постоянных магнитных полей / Батищев А. Г., Власик К. Ф., Грабчиков С. С., Грачев В. М., Дмитренко В. В.,Калашников Н. П., Муравьев-Смирнов С. С., Ньюнт П. В., Улин С. Е., Утешев З. М., Челедюк А. В. // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal / гл. ред. Гусев О. К. ; кол. авт. Министерство образования Республики Беларусь ; кол. авт. Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2012. – №1(4). – С. 16 - 23.
Abstract
Изучена эффективность экранирования постоянного магнитного поля многослойными пленочными экранами системы NiFe/Cu, сформированными на цилиндрических корпусах фотоэлектронных умножителей, и проведено сопоставление с экраном на основе ме-таллургического материала – пермаллой марки 80НХС. Показано, что наиболее эффективным является экран на основе многослойных пленочных структур, который обеспечивает значения эффективности экранирования 8–10 в магнитных полях с индукцией 0,1–1 мТл, и 80–100 – в магнитных полях с индукцией 2–4 мТл, что в 4–5 раз выше, чем для экрана из материала 80НХС.
View/ Open
Collections
- №1 ( 4 )[21]