Фотоэлектронные умножители с многослойными пленочными экранами для защиты от воздействия внешних постоянных магнитных полей

Abstract

Изучена эффективность экранирования постоянного магнитного поля многослойными пленочными экранами системы NiFe/Cu, сформированными на цилиндрических корпусах фотоэлектронных умножителей, и проведено сопоставление с экраном на основе ме-таллургического материала – пермаллой марки 80НХС. Показано, что наиболее эффективным является экран на основе многослойных пленочных структур, который обеспечивает значения эффективности экранирования 8–10 в магнитных полях с индукцией 0,1–1 мТл, и 80–100 – в магнитных полях с индукцией 2–4 мТл, что в 4–5 раз выше, чем для экрана из материала 80НХС.