Browsing by Author "Васьков, О. С."

Now showing items 1-20 of 34

    • Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф. (БНТУ, 2017)
      Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : ...
      2018-02-08

    • Анализ механизмов деградации слоя пайки мощных транзисторов КП723 и КП7209 при термошоковых воздействиях 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С. (БНТУ, 2017)
      Бумай, Ю. А. Анализ механизмов деградации слоя пайки мощных транзисторов КП723 и КП7209 при термошоковых воздействиях / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, В. С. Нисс // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 3. - С. 465.
      2018-06-27

    • Анализ тепловых параметров линейных стабилизаторов напряжения 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Грибович, В. В.; Цивако, А. А. (БНТУ, 2019)
      Анализ тепловых параметров линейных стабилизаторов напряжения / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 264-266.
      2020-01-03

    • Аппаратура и метод анализа переходных электрических процессов при исследованиях тепловых параметров мощных полупроводниковых приборов 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С. (БНТУ, 2021)
      Разработан импеданс- спектрометр тепловых процессов и метод, позволяющие на основе переходных электрических процессов анализировать внутреннюю структуру тепловых сопротивлений мощных полупроводниковых приборов и представлять ее в виде спектра тепловых сопротивлений, соответствующих элементам их конструкций. Разработан метод получения профилей распределения теплового потока по ...
      2022-02-02

    • Влагометрия на основе сверхширокополосной (СШП) технологии 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Доманевский, Д. С. (БНТУ, 2006)
      Бумай, Ю. А. Влагометрия на основе сверхширокополосной (СШП) технологии / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, Д. С. Доманевский // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Четвертой международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2006. – ...
      2021-11-12

    • Влияние ультразвукового воздействия на электрические и тепловые характеристики светодиодов 

      Бобученко, Д. С.; Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Красовский, В. В.; Куклицкая, А. Г.; Трофимов, Ю. В.; Цвирко, В. И. (БНТУ, 2015)
      Влияние ультразвукового воздействия на электрические и тепловые характеристики светодиодов / Д. С. Бобученко [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 3. - С. 470.
      2016-05-03

    • Вольтамперные характеристики (ВАХ) светодиодов с множественными квантовыми ямами (МКЯ) 

      Бобученко, Д. С.; Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Хорунжий, И. А. (БНТУ, 2008)
      Вольтамперные характеристики (ВАХ) светодиодов с множественными квантовыми ямами (МКЯ) / Д. С. Бобученко [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2008. – Т. 2. – С. 259.
      2021-08-30

    • Временное распределение температуры перегрева COB матрицы в мощном светодиодном модуле CD–RL850–150 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С. (БНТУ, 2018)
      Бумай, Ю. А. Временное распределение температуры перегрева COB матрицы в мощном светодиодном модуле CD–RL850–150 / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, В. С. Нисс // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. – Минск : БНТУ, 2018. – Т. 3. – С. 411.
      2019-10-09

    • Измеритель активного сопротивления 

      Васьков, О. С.; Доманевский, Д. С.; Зинкевич, Ю. В. (1987)
      Измеритель активного сопротивления : а. с. 1310744 СССР : МПК4 G01R27/00 / О. С. Васьков, Д. С. Доманевский, Ю. В. Зинкевич ; заявитель Белорусский политехнический институт ; дата публ.: 15.05.1987.
      2021-02-10

    • Измеритель комплексного сопротивления 

      Васьков, О. С.; Доманевский, Д. С.; Зинкевич, Ю. В. (1988)
      Измеритель комплексного сопротивления : а. с. 1413550 СССР : МПК4 G01R27/00 / О. С. Васьков, Д. С. Доманевский, Ю. В. Зинкевич ; заявитель Белорусский политехнический институт ; дата публ.: 30.07.1988.
      2020-11-26

    • Исследование неоднородности разогрева светодиодов Cree и Rebel при предельно допустимых токах 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С. (БНТУ, 2017)
      Бумай, Ю. А. Исследование неоднородности разогрева светодиодов Cree и Rebel при предельно допустимых токах / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, В. С. Нисс // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : ...
      2018-02-09

    • Исследование сахарозы методом емкостной релаксационной спектрометрии 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Почкаев, А. В.; Почкаева, Т. В. (БНТУ, 2019)
      Исследование сахарозы методом емкостной релаксационной спектрометрии / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 137-138.
      2020-01-03

    • Исследование структуры теплового сопротивления светодиодной лампы с нитевидными излучателями 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С. (БГУ, 2018)
      Методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии исследована структура теплового сопротивления светодиодной лампы (~4 Вт) с нитевидными излучателями с колбой, заполненной инертным газом с высокой теплопроводностью, и без колбы. Получен профиль растекания теплового потока по элементам лампы. Показан вклад инертного газа в тепловое сопротивление лампы. Проведено ...
      2023-04-01

    • Исследование тепловых параметров составных транзисторов КТД8307 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Грибович, В. В.; Цивако, А. А. (БНТУ, 2019)
      Исследование тепловых параметров составных транзисторов КТД8307 / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 268-270.
      2020-01-03

    • Исследования изменений теплового сопротивления мощных МОП транзисторов при термоиспытаниях 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А. (БГУ, 2018)
      Методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии исследованы структура теплового сопротивления, а также профили растекания теплового потока мощных импортных МОП транзисторов (аналогов транзисторов КП7209, КП7128 производства ОАО Интеграл), в различных корпусах (ТО-220, ТО-252) с различными размерами кристалла. Для испытания надежности транзисторы были подвергнуты ...
      2024-06-05

    • Коррекция электротепловой модели переходных процессов растекания тепла в мощных полупроводниковых приборах 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С. (БНТУ, 2020)
      Бумай, Ю. А. Коррекция электротепловой модели переходных процессов растекания тепла в мощных полупроводниковых приборах / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, В. С. Нисс // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 244-246.
      2021-02-09

    • Методика исследования и анализа дифференциальных тепловых параметров межэлементных соединений в мощных полупроводниковых приборах различного типа методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии 

      Кошель, И. В.; Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С. (БНТУ, 2020)
      Методика исследования и анализа дифференциальных тепловых параметров межэлементных соединений в мощных полупроводниковых приборах различного типа методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии / И. В. Кошель [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 13-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 15−17 апреля ...
      2020-06-24

    • Методика на основе метода электротепловой спектрометрии для исследования профилей растекания теплового потока в оптоэлектронных и силовых полупроводниковых приборах 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Рубцевич, И. И. (БНТУ, 2016)
      Методика на основе метода электротепловой спектрометрии для исследования профилей растекания теплового потока в оптоэлектронных и силовых полупроводниковых приборах / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. ...
      2017-03-15

    • Оптические и электрические свойства облученных быстрыми электронами светодиодов на основе гетероструктур 

      Бумай, Ю. А.; Бобученко, Д. С.; Васьков, О. С.; Вабищевич, С. А.; Ластовский, С. Б.; Трофимов, Ю. В.; Цвирко, В. И. (Полоцкий государственный университет, 2015)
      Исследовано влияние облучения быстрыми электронами (4 МэВ) на электрические и оптические свойства светоизлучающих диодов (СИД) на основе нитридов и фосфидов. Установлены закономерности изменения при облучении в вольтамперных характеристиках, спектрах электролюминесценции и тепловых свойствах СИД. Обнаружено изменение в спектрах электролюминесценции ультрафиолетовых и синих СИД, ...
      2018-09-28

    • Оценка тепловых параметров мощных биполярных транзисторов методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии 

      Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Турцевич, А. С.; Керенцев, А. Ф.; Кононенко, В. К. (БНТУ, 2015)
      Температурный режим работы электронной аппаратуры определяет надежность и стабильность оборудования. Это приводит к необходимости детального теплового анализа полупроводниковых приборов. Цель работы – оценка тепловых параметров мощных биполярных транзисторов в пластмассовых корпусах TO-252 и TO-126 методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии. Тепловые постоянные ...
      2015-12-30