Browsing by Author "Петлицкий, А. Н."

Now showing items 1-20 of 37

    • Алгоритм неразрушающих измерений пространственного распределения примеси железа в кремнии 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Свистун, А. И. (БНТУ, 2014)
      Алгоритм неразрушающих измерений пространственного распределения примеси железа в кремнии / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 52-54.
      2015-03-16

    • Алгоритмы обработки визуализированных изображений при картировании дефектов полупроводниковых пластин 

      Тявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Тявловский, К. Л.; Пантелеев, К. В.; Микитевич, В. А.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2016)
      Алгоритмы обработки визуализированных изображений при картировании дефектов полупроводниковых пластин / А. К. Тявловский [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 391-393.
      2017-04-04

    • Анализ вольтамперных характеристик диодов-генераторов широкополосного шума 

      Буслюк, В. В.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А. (БНТУ, 2016)
      Анализ вольтамперных характеристик диодов-генераторов широкополосного шума / В. В. Буслюк [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 280-281.
      2017-03-27

    • Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф. (БНТУ, 2017)
      Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : ...
      2018-02-08

    • Анализ качества подзатворного диэлектрика МОП-структур по вольт-фарадным характеристикам 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шведов, С. В.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2015)
      Исследованы МОП-транзисторы методом вольт-фарадных характеристик, изготов ленных в разное время, но по аналогичным технологическим маршрутам и при использовании идентичных технологических материалов. Установлено, что измерения вольт-фарадных характеристик МОП-структур позволяют проводить диагностику качества подзатворного диэлектрика. Вид и форма измеренных характеристик ...
      2015-07-24

    • Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)
      Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 323-324.
      2021-02-09

    • Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления 

      Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2019)
      Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 347-348.
      2020-01-03

    • Визуализация пространственного распределения примеси железа в кремнии на основе методов зондовой электрометрии 

      Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Микитевич, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2015)
      Визуализация пространственного распределения примеси железа в кремнии на основе методов зондовой электрометрии / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2015 : материалы 8-й международной научно-технической конференции, Минск, 25-27 ноября 2015 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2015. – Т. 1. - С. 169-171.
      2016-10-04

    • Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов 

      Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)
      Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов / Н. И. Горбачук [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 325-326.
      2021-02-09

    • Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов 

      Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)
      Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 345-346.
      2020-01-03

    • Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Дубровский, В. А. (2014)
      Исследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время с использованием идентичных технологических материалов по аналогичным технологическим маршрутам. Установлено, что электрофизические характеристики МОП-транзисторов существенным образом зависят от качества подзатворного диэлектрика. Наличие дополнительного встроенного заряда в ...
      2019-02-04

    • Высокоэнергетические процессы при соударении преграды с космической пылью 

      Ушеренко, С. М.; Петлицкий, А. Н.; Ушеренко, Ю. С. (БНТУ, 2015)
      Ушеренко, С. М. Высокоэнергетические процессы при соударении преграды с космической пылью / С. М. Ушеренко, А. Н. Петлицкий, Ю. С. Ушеренко // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 1. - С. 363-364.
      2016-02-15

    • Зондовые зарядочувствительные приборы и методы для контроля и визуализации электрофизических параметров полупроводниковых пластин 

      Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Турцевич, А. С.; Тявловский, А. К. (БНТУ, 2014)
      Зондовые зарядочувствительные приборы и методы для контроля и визуализации электрофизических параметров полупроводниковых пластин / О. К. Гусев [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 12-14.
      2015-03-16

    • Зондовые электрометрические методы для измерения удельного электрического сопротивления ионно-легированных и диффузионных слоев 

      Тявловский, А. К.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2019)
      Зондовые электрометрические методы для измерения удельного электрического сопротивления ионно-легированных и диффузионных слоев / А. К. Тявловский [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 36-38.
      2020-01-03

    • Измерительная система контроля полупроводниковых пластин СКАН-2013 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Свистун, А. И. (БНТУ, 2014)
      Измерительная система контроля полупроводниковых пластин СКАН-2013 / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 54-56.
      2015-03-16

    • Исследования изменений теплового сопротивления мощных МОП транзисторов при термоиспытаниях 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А. (БГУ, 2018)
      Методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии исследованы структура теплового сопротивления, а также профили растекания теплового потока мощных импортных МОП транзисторов (аналогов транзисторов КП7209, КП7128 производства ОАО Интеграл), в различных корпусах (ТО-220, ТО-252) с различными размерами кристалла. Для испытания надежности транзисторы были подвергнуты ...
      2024-06-05

    • Контроль дефектов структуры кремний-диэлектрик на основе анализа пространственного распределения потенциала по поверхности полупроводниковых пластин 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Турцевич, А. С.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2013)
      Рассмотрено применение метода Кельвина–Зисмана (контактной разности потенциалов) для неразрушающего контроля и выявления дефектов структур кремний-диэлектрик. Метод использовался для визуализации распределения электрического потенциала поверхности и изгиба энергетических зон по поверхности термически окисленной кремниевой пластины, легированной бором. Полученная картина распределения ...
      2014-06-02

    • Метод бесконтактного измерения удельного электрического сопротивления барьерных слоев 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А. (БНТУ, 2018)
      Метод бесконтактного измерения удельного электрического сопротивления барьерных слоев / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 12-13.
      2019-04-12

    • Метод и установка контроля плоскостности кремниевых пластин 

      Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.; Понарядов, В. В.; Шведов, С. В.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2011)
      Предложен метод и разработана установка лазерного контроля стрелы прогиба и профиля изгиба полупроводниковых пластин. Метод основан на регистрации отклонения отраженного лазерного луча от положения, соответствующего отражению от идеально плоской поверхности. Установлено, что по результатам определения угла наклона касательной в любой точке поверхности, определяемой путем ...
      2012-03-26

    • Методика на основе метода электротепловой спектрометрии для исследования профилей растекания теплового потока в оптоэлектронных и силовых полупроводниковых приборах 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Рубцевич, И. И. (БНТУ, 2016)
      Методика на основе метода электротепловой спектрометрии для исследования профилей растекания теплового потока в оптоэлектронных и силовых полупроводниковых приборах / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. ...
      2017-03-15