Browsing by Author "Ивлев, Г. Д."

Now showing items 1-18 of 18

    • Акустический отклик при воздействии наносекундных лазерных импульсов на тонкоплeночную гетеросистему In/CdTe 

      Власенко, А. И.; Велещук, В. П.; Гнатюк, В.А.; Левицкий, С. Н.; Власенко, З. К.; Ивлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И. (Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН, 2015)
      Фототермоакустическим методом проведена диагностика термобародинамических процессов, происходящих при наносекундном лазерном облучении (7 ns, lambda=532 nm) в естественных условиях (на воздухе) и в жидкой среде (вода), тонкопленочной системы металл In(400 nm)-полупроводник CdTe. На основе анализа полученных данных установлена зависимость давления, возникающего в области ...
      2018-06-21

    • Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном, для фотодетекторов видимого и ик-диапазонов 

      Комаров, Ф. Ф.; Пархоменко, И. Н.; Мильчанин, О. В.; Моховиков, М. А.; Ивлев, Г. Д.; Власукова, Л. А.; Альжанова, А. Е.; Ван, Тин (БНТУ, 2022)
      Слои кремния, легированные селеном до концентраций (4–6)ꞏ1020 см–3, что на 4 порядка величины превышает предел равновесной растворимости этой примеси, получены ионной имплантацией с последующим импульсным лазерным отжигом (ИЛО) при плотностях энергии в импульсе W = 0,55; 0,8; 1,0; 1,5; 2,0 и 2,5 Дж/см2. Методом обратного резерфордовского рассеяния ионов гелия показано, что до ...
      2022-12-28

    • Диагностика наносекундного воздействия лазерного излучения на гетеросистемы In/CdTe 

      Ивлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.; Власенко, А. И.; Велещук, В. П.; Гнатюк, В. А.; Левицкий, С. Н.; Власенко, З. К. (БНТУ, 2014)
      Диагностика наносекундного воздействия лазерного излучения на гетеросистемы In/CdTe / Г. Д. Ивлев [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 401.
      2015-02-09

    • Диффузионные процессы в германий-кремниевых гетероструктурах при импульсных лазерных воздействиях 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Гундина, М. А. (БНТУ, 2020)
      Гацкевич, Е. И. Диффузионные процессы в германий-кремниевых гетероструктурах при импульсных лазерных воздействиях / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев, М. А. Гундина // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 433-435.
      2021-02-09

    • Импульсная лазерная обработка и лазерно-индуцированная проводимость тонкопленочного германия 

      Ивлев, Г. Д.; Прокопьев, С. Л.; Гацкевич, Е. И.; Файзрахманов, И. А. (Издательский центр БГУ, 2017)
      Проводилась кристаллизация тонкопленочного германия под действием наносекундного излучения рубинового лазера. Исследована лазерно-индуцированная проводимость (ЛП) исходной пленки a-Ge:Sb, осажденной на сапфировую подложку методом ионно-лучевого распыления составной мишени, и поликристаллических слоев n+-Ge:Sb, сформированных лазерной обработкой a-Ge:Sb. Установлены зависимости ...
      2021-05-27

    • Исследование лазерно-модифицированных пленок CdS-CdSe 

      Ивлев, Г. Д.; Манего, С. А.; Гацкевич, Е. И. (БНТУ, 2017)
      Ивлев, Г. Д. Исследование лазерно-модифицированных пленок CdS-CdSe / Г. Д. Ивлев, С. А. Манего, Е. И. Гацкевич // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 3. - С. 470.
      2018-06-28

    • Кремниевые приборные структуры с эффективной излучательной рекомбинацией на дислокациях 

      Мудрый, А. В.; Живулько, В. Д.; Мофиднахаи, Ф.; Ивлев, Г. Д.; Якушев, М. В.; Мартин, Р. В.; Двуреченский, А. В.; Зиновьев, В. А.; Смагина, Ж. В.; Кучинская, П. А. (БНТУ, 2014)
      В кремниевых p-n структурах обнаружена эффективная электролюминесценция в области переходов зона–зона (1,1 эВ) и переходов, обусловленных дислокациями (D1–0,8 эВ), при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Установлено, что люминесценция, обусловленная дислокациями в монокристаллах Si, значительно сильнее, чем собственное межзонное излучение в интервале температур ...
      2014-08-25

    • Лазерно-индуцированные процессы в структурах a-Ge/Ge 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д. (БНТУ, 2018)
      Гацкевич, Е. И. Лазерно-индуцированные процессы в структурах a-Ge/Ge / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2018. - Т. 3. - С. 382.
      2019-10-07

    • Лазерно-индуцированные теплофизические процессы в эпитаксиальных германий-кремниевых гетероструктурах 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Малевич, В. Л. (БНТУ, 2021)
      Изучено перераспределении элементов по глубине в эпитаксиальных GeSi слоях при облучении наносекундными импульсами рубинового лазера. Проанализировано влияние сегрегации на формирование ячеистых структур в неравновесных условиях импульсного воздействия.
      2022-02-02

    • Моделирование лазерно-индуцированного нагрева тонкопленочного германия на кремниевых и кварцевых подложках 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Гундина, М. А.; Князев, М. А. (БНТУ, 2017)
      Моделирование лазерно-индуцированного нагрева тонкопленочного германия на кремниевых и кварцевых подложках / Е. И. Гацкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 357-359.
      2018-02-09

    • Моделирование лазерно-индуцированных процессов в пленках TiAlN на кремниевых подложках 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д. (2016)
      Гацкевич, Е. И. Моделирование лазерно-индуцированных процессов в пленках TiAlN на кремниевых подложках / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 14-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2016. - Т. 3. - С. 400.
      2017-08-25

    • Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного излучения 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д. (БНТУ, 2015)
      Гацкевич, Е. И. Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного излучения / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 3. - С. 405.
      2016-04-28

    • Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного лазерного излучения 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Малевич, В. Л. (БНТУ, 2014)
      В данной работе приведены результаты численного моделирования процессов нагрева, плавления и кристаллизации при облучении наносекундными лазерными импульсами структур Si1-xGex, выращенных на Si подложке, и обсуждается механизм формирования в них ячеистой структуры, связанный с эффектом концентрационного переохлаждения.
      2015-03-23

    • Моделирование термостимулированных процессов в пленках TiAlN при наносекундном лазерном воздействии 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Людчик, О. Р. (БНТУ, 2016)
      Моделирование термостимулированных процессов в пленках TiAlN при наносекундном лазерном воздействии / Е. И. Гацкевич [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 296-298.
      2017-03-27

    • Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Малевич, В. Л. (Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН, 2015)
      Проведено численное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации твердого раствора SiGe на кремниевой подложке, происходящих под действием наносекундного лазерного излучения, и проанализирован механизм формирования ячеистых структур из-за сегрегационного разделения элементов на стадии отвердевания бинарного расплава. Результаты вычислений сопоставлены с известными ...
      2018-06-20

    • Структурные изменения в покрытиях Ti – Al – C – N при лазерном отжиге 

      Зайков, В. А.; Ивлев, Г. Д.; Климович, И. М.; Людчик, О. Р.; Вишневский, А. И.; Гусакова, С. В.; Королик, О. В. (2018)
      Методами растровой электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света исследованы структура, элементный состав тонких пленок Ti – Al – C – N до и после обработки интенсивным излучением рубинового лазера (λ = 0,69 мкм) при плотностях энергии 0,5–1,3 Дж/см2. Исследуемые тонкопленочные покрытия формировались на кремниевых подложках методом реактивного магнетронного распыления ...
      2019-04-18

    • Температурные измерения при импульсном лазерном облучении с варьируемым начальным нагревом 

      Белозерова, Л. И.; Ивлев, Г. Д.; Каспаров, К. Н. (БНТУ, 2012)
      Приведены результаты измерения температуры платины в виде ленточного тела накала, предварительно нагретого в вакууме постоянным током и облученного миллисекундным лазерным импульсом. Постепенное увеличение предварительного нагрева при постоянной плотности энергии лазерного импульса позволяет получать на поверхности платины слой расплава различной толщины без разрушения тела накала. ...
      2013-02-14

    • Фотолюминесценция поликристаллических пленок CdS-CdSe 

      Манего, С. А.; Ивлев, Г. Д.; Трофимов, Ю. В. (БНТУ, 2018)
      Манего, С. А. Фотолюминесценция поликристаллических пленок CdS-CdSe / С. А. Манего, Г. Д. Ивлев, Ю. В. Трофимов // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. – Минск : БНТУ, 2018. – Т. 3. – С. 417.
      2019-10-09