Browsing by Author "Зайков, В. А."
Now showing items 1-17 of 17
-
Автоматизированный метод регистрации ВАХ двухполюсников с помощью цифрового осциллографа В-422
Романов, И. А.; Зайков, В. А.; Климович, И. М. (БНТУ, 2014)В настоящей работе предлагается автоматизированный метод регистрации ВАХ двухполюсников, рассчитанный на широкий спектр ПП или приборных структур.2015-03-17 -
Влияние потенциала смещения на структуру и механические свойства покрытий Ti – Al – C – N
Климович, И. М.; Зайков, В. А.; Комаров, Ф. Ф.; Кулешов, А. К.; Баран, Л. В. (2018)Исследовано влияние потенциала смещения подложки на состав, структуру и коэффициент трения наноструктурных покрытий Ti – Al – C – N. Установлено, что с ростом потенциала смещения происходит уменьшение соотношения между интенсивностями рефлексов I(111)/I(200). При увеличении потенциала смещения от –90 до –200 В структура покрытия изменяется от столбчатой к мелкозернистой. Обнаружено, ...2019-04-22 -
Влияние режимов формирования на трибологические свойства Наноструктурированных покрытий TiAlCuN, TiAlCuN
Чижов, И. В.; Константинов, С. В.; Комаров, Ф. Ф.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2024)Влияние режимов формирования на трибологические свойства Наноструктурированных покрытий TiAlCuN, TiAlCuN / И. В. Чижов [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 17-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17-19 апреля 2024 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. ...2024-05-27 -
Влияние технологических параметров процесса осаждения на свойства защитных наноструктурированных покрытий Ti-Al-N
Климович, И. М.; Пилько, В. В.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2016)Климович, И. М. Влияние технологических параметров процесса осаждения на свойства защитных наноструктурированных покрытий Ti-Al-N / И. М. Климович, В. В. Пилько, В. А. Зайков // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический ...2016-09-26 -
Изучение действия лазерного излучения на полупроводниковые структуры в спецпрактикуме по лазерной обработке материалов
Людчик, О. Р.; Зайков, В. А.; Михей, В. Н.; Вишневская, Е. В. (БНТУ, 2016)Изучение действия лазерного излучения на полупроводниковые структуры в спецпрактикуме по лазерной обработке материалов / О. Р. Людчик [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 428-429.2017-04-04 -
Метод формирования бинарных нитридов Ti-Al-N реактивным магнетронным распылением с оптическим управлением
Зайков, В. А.; Комаров, Ф. Ф.; Бурмаков, А. П.; Климович, И. М.; Кулешов, В. Н.; Людчик, О. Р. (БНТУ, 2014)Основной задачей настоящей работы является определение параметров осаждения, позволяющих достичь высокой воспроизводимости химического состава пленок Ti-Al-N и их оптимальных физических свойств: твердости износостойкости и др.2015-03-23 -
Научно-учебный лазерный комплекс на основе импульсного лазера с диодной накачкой
Людчик, О. Р.; Зайков, В. А.; Вишневская, Е. В.; Михей, В. Н. (БНТУ, 2014)Целью настоящей работы являются разработка научно-учебного лазерного комплекса на основе импульсного лазера с диодной накачкой, исследование его возможностей, а также разработка заданий для специального лабораторного практикума.2015-03-26 -
Свойства наноструктурированных нитридных покрытий TiAlCuN для микромеханических приборов
Константинов, С. В.; Комаров, Ф. Ф.; Чижов, И. В.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2022)Сформированы нитридные покрытия TiAlCuN на подложках из монокристаллического кремния (100) и титана марки ВТ1-0 магнетронным методом. Проведены исследования элементного состава, структуры и механических свойств полученных покрытий. Установлено, что уменьшение степени реактивности α от значения α = 0,60 до величины α = 0,47 приводит к увеличению скорости осаждения покры- тия TiAlCuN ...2022-12-28 -
Система контроля расхода газов для применения в технологии реактивного магнетронного распыления
Климович, И. М.; Кулешов, В. Н.; Зайков, В. А.; Бурмаков, А. П.; Комаров, Ф. Ф.; Людчик, О. Р. (БНТУ, 2015)Неустойчивость параметров разряда и химического состава потоков частиц, поступающих на подложку, в переходных режимах реактивного магнетронного распыления приводит к невоспроизводимости состава покрытий от процесса к процессу. Целью настоящей работы являлась разработка системы контроля расхода газа, позволяющая стационарно поддерживать неравновесное состояние магнетронного разряда ...2015-12-30 -
Система спектрального контроля процесса очистки изделий ионным источником “Радикал”
Климович, И. М.; Пилько, В. В.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2013)Климович, И. М. Система спектрального контроля процесса очистки изделий ионным источником “Радикал” / И. М. Климович, В. В. Пилько, В. А. Зайков // Новые направления развития приборостроения : материалы 6-й Международной студенческой научно-технической конференции, 24-26 апреля 2013 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 23.2022-10-24 -
Система спектрофотометрического контроля покрытий на основе бинарных нитридов
Белявский, Д. С.; Солодухо, Д. А.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2012)Белявский, Д. С. Система спектрофотометрического контроля покрытий на основе бинарных нитридов / Д. С. Белявский, Д. А. Солодухо, В. А. Зайков // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 196.2022-09-22 -
Структурные изменения в покрытиях Ti – Al – C – N при лазерном отжиге
Зайков, В. А.; Ивлев, Г. Д.; Климович, И. М.; Людчик, О. Р.; Вишневский, А. И.; Гусакова, С. В.; Королик, О. В. (2018)Методами растровой электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света исследованы структура, элементный состав тонких пленок Ti – Al – C – N до и после обработки интенсивным излучением рубинового лазера (λ = 0,69 мкм) при плотностях энергии 0,5–1,3 Дж/см2. Исследуемые тонкопленочные покрытия формировались на кремниевых подложках методом реактивного магнетронного распыления ...2019-04-18 -
Твердые покрытия Ti-Al-N, полученные контролируемым магнетронным нанесением
Климович, И. М.; Романов, И. А.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2015)Климович, И. М. Твердые покрытия Ti-Al-N, полученные контролируемым магнетронным нанесением / И. М. Климович, И. А. Романов, В. А. Зайков // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 274.2022-08-24 -
Углеродные пленки для мемристорных ячеек памяти
Крупенков, П. А.; Зайков, В. А.; Комаров, Ф. Ф. (БНТУ, 2024)Крупенков, П. А. Углеродные пленки для мемристорных ячеек памяти / П. А. Крупенков, В. А. Зайков, Ф. Ф. Комаров // Новые направления развития приборостроения : материалы 17-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17-19 апреля 2024 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. ...2024-05-27 -
Управляемое реактивное магнетронное нанесение TiAlN покрытий
Климович, И. М.; Бурмаков, А. П.; Зайков, В. А.; Кулешов, В. Н.; Романов, И. А. (БНТУ, 2016)Управляемое реактивное магнетронное нанесение TiAlN покрытий / И. М. Климович [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 330-332.2017-03-28 -
Установка для исследования параметров магнетронной и лазерной плазмы
Бурмаков, А. П.; Зайков, В. А.; Комаров, Ф. Ф.; Людчик, О. Р.; Солодухо, Д. А. (БНТУ, 2012)В работе рассмотрены различные модификации установки для импульсного лазерного и магнетронного осаждения тонкопленочных структур с контролируемыми условиями формирования плазменного потока и возможностью исследования параметров плазмы. Предложены варианты для совместного и раздельного осаждения слоев. Разработанная установка расширяет энергетический, зарядовый и элементный состав ...2013-02-05 -
Электрофизические свойства наноструктурированных покрытий TiAlSiN, TiAlSiCN для задач космического приборостроения
Константинов, С. В.; Комаров, Ф. Ф.; Чижов, И. В.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2023)Сформированы образцы нитридных и карбонитриных покрытий TiAlSiN, TiAlSiCN. Прове- дены измерения поверхностного R и удельного Rуд сопротивления нитридных и карбонитридных покры- тий TiAlSiN, TiAlSiCN четырехзондовым методом при помощи цифрового прибора ИУС-3. Установлено, что все сформированные покрытия нитрида TiAlSiN и карбонитрида TiAlSiN с добавлением кремния Si имеют небольшие ...2023-12-21