Browsing by Author "Черный, В. В."

Now showing items 1-20 of 97

    • Анализ вольтамперных характеристик диодов-генераторов широкополосного шума 

      Буслюк, В. В.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А. (БНТУ, 2016)
      Анализ вольтамперных характеристик диодов-генераторов широкополосного шума / В. В. Буслюк [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 280-281.
      2017-03-27

    • Анализ качества подзатворного диэлектрика МОП-структур по вольт-фарадным характеристикам 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шведов, С. В.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2015)
      Исследованы МОП-транзисторы методом вольт-фарадных характеристик, изготов ленных в разное время, но по аналогичным технологическим маршрутам и при использовании идентичных технологических материалов. Установлено, что измерения вольт-фарадных характеристик МОП-структур позволяют проводить диагностику качества подзатворного диэлектрика. Вид и форма измеренных характеристик ...
      2015-07-24

    • Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)
      Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 323-324.
      2021-02-09

    • Аналоговые и цифровые электроизмерительные приборы 

      Черный, В. В.; Александрова, Э. Н.; Доманевский, Д. С.; Малаховская, В. Э.; Развин, Ю. В. (БНТУ, 2012)
      Издание содержит описание (теоретическую часть, схемы измерительных приборов и задание) лабораторной работы, посвященной изучению аналоговых и цифровых электроизмерительных приборов. Предназначено для студентов инженерных специальностей, изучающих раздел курса общей физики «Электричество и магнетизм».
      2013-12-03

    • Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления 

      Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2019)
      Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 347-348.
      2020-01-03

    • Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов 

      Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)
      Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов / Н. И. Горбачук [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 325-326.
      2021-02-09

    • Влияние вида основной легирующей примеси в кремнии на эффективность диффузии иттербия 

      Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2017)
      Влияние вида основной легирующей примеси в кремнии на эффективность диффузии иттербия / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 236-238.
      2018-02-06

    • Влияние высокоэнергетичной ионной имплантации на изменение физико-механических свойств монокристаллов кремния 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2013)
      Влияние высокоэнергетичной ионной имплантации на изменение физико-механических свойств монокристаллов кремния / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 11-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2013. - С. 302.
      2015-11-11

    • Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов 

      Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)
      Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 345-346.
      2020-01-03

    • Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шума 

      Буслюк, В. В.; Дереченник, С. С.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Ластовский, С. Б.; Нерода, И. Ю.; Федосюк, Д. Н.; Черный, В. В.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2023)
      Исследованы изменения электрофизических параметров кремниевых диодов-генераторов шума ND103L, при облучении быстрыми электронами с энергией 5 МэВ дозами 3·1013–1·1015 cм–2. Установлено, что величины обратных токов при всех значениях обратного напряжения существенно возрастают в процессе облучения. Эффективное напряжения шума и спектральная плотность напряжения шума в процессе ...
      2023-12-21

    • Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры 

      Плющевский, И. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2018)
      Плющевский, И. А. Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры / И. А. Плющевский, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 371.
      2018-09-06

    • Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Дубровский, В. А. (2014)
      Исследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время с использованием идентичных технологических материалов по аналогичным технологическим маршрутам. Установлено, что электрофизические характеристики МОП-транзисторов существенным образом зависят от качества подзатворного диэлектрика. Наличие дополнительного встроенного заряда в ...
      2019-02-04

    • Вольт-амперные характеристики генераторных диодов для создания широкополосного шума 

      Буслюк, В. В.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Русакевич, Д. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)
      Вольт-амперные характеристики генераторных диодов для создания широкополосного шума / В. В. Буслюк [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 268-269.
      2015-03-23

    • Вольтфарадные характеристики и интенсивность электролюминесценции для голубых светодиодов 

      Климов, М. О.; Черный, В. В. (БНТУ, 2021)
      Климов, М. О. Вольтфарадные характеристики и интенсивность электролюминесценции для голубых светодиодов / М. О. Климов, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 14-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 14–16 апреля 2021 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) ...
      2021-05-13

    • Вращение плоскости поляризации света в неоднородном магнитном поле реального соленоида 

      Шабура, М. А.; Януш, Д. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2015)
      Шабура, М. А. Вращение плоскости поляризации света в неоднородном магнитном поле реального соленоида / М. А. Шабура, Д. А. Януш, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 308.
      2022-08-24

    • Графеновые суперконденсаторы аномально большой емкости 

      Зысковец, Ю. М.; Черный, В. В. (БНТУ, 2021)
      Зысковец, Ю. М. Графеновые суперконденсаторы аномально большой емкости / Ю. М. Зысковец, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 14-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 14–16 апреля 2021 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – ...
      2021-05-13

    • Двумерный электронный газ и его применение в электронике 

      Овчинник, Д. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2024)
      Овчинник, Д. А. Двумерный электронный газ и его применение в электронике / Д. А. Овчинник, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 17-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17-19 апреля 2024 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) ...
      2024-05-27

    • Дефектообразование за пределами области внедрения ионов в полимерных пленках 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Лукашевич, М. С.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)
      Дефектообразование за пределами области внедрения ионов в полимерных пленках / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 457.
      2015-02-10

    • Емкостные свойства светоизлучающих диодов 

      Бурин, А. А.; Кульша, П. В.; Черный, В. В. (БНТУ, 2011)
      Бурин, А. А. Емкостные свойства светоизлучающих диодов / А. А. Бурин, П. В. Кульша, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 4-й Международной студенческой научно-технической конференции, 20-22 апреля 2011 г. : конференция посвящается 90-летию Белорусского национального технического университета (БПИ - БГПА - БНТУ) / Белорусский национальный технический ...
      2021-03-11

    • Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2018)
      Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4 / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. – Минск : БНТУ, 2018. – Т. 3. – С. 410.
      2019-10-09