Browsing by Author "Янковский, Ю. Н."

Now showing items 1-20 of 23

    • Анализ вольтамперных характеристик диодов-генераторов широкополосного шума 

      Буслюк, В. В.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А. (БНТУ, 2016)
      Анализ вольтамперных характеристик диодов-генераторов широкополосного шума / В. В. Буслюк [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 280-281.
      2017-03-27

    • Анализ качества подзатворного диэлектрика МОП-структур по вольт-фарадным характеристикам 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шведов, С. В.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2015)
      Исследованы МОП-транзисторы методом вольт-фарадных характеристик, изготов ленных в разное время, но по аналогичным технологическим маршрутам и при использовании идентичных технологических материалов. Установлено, что измерения вольт-фарадных характеристик МОП-структур позволяют проводить диагностику качества подзатворного диэлектрика. Вид и форма измеренных характеристик ...
      2015-07-24

    • Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)
      Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 323-324.
      2021-02-09

    • Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления 

      Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2019)
      Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 347-348.
      2020-01-03

    • Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов 

      Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)
      Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов / Н. И. Горбачук [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 325-326.
      2021-02-09

    • Влияние вида основной легирующей примеси в кремнии на эффективность диффузии иттербия 

      Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2017)
      Влияние вида основной легирующей примеси в кремнии на эффективность диффузии иттербия / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 236-238.
      2018-02-06

    • Влияние высокоэнергетичной ионной имплантации на изменение физико-механических свойств монокристаллов кремния 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2013)
      Влияние высокоэнергетичной ионной имплантации на изменение физико-механических свойств монокристаллов кремния / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 11-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2013. - С. 302.
      2015-11-11

    • Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шума 

      Буслюк, В. В.; Дереченник, С. С.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Ластовский, С. Б.; Нерода, И. Ю.; Федосюк, Д. Н.; Черный, В. В.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2023)
      Исследованы изменения электрофизических параметров кремниевых диодов-генераторов шума ND103L, при облучении быстрыми электронами с энергией 5 МэВ дозами 3·1013–1·1015 cм–2. Установлено, что величины обратных токов при всех значениях обратного напряжения существенно возрастают в процессе облучения. Эффективное напряжения шума и спектральная плотность напряжения шума в процессе ...
      2023-12-21

    • Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Дубровский, В. А. (2014)
      Исследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время с использованием идентичных технологических материалов по аналогичным технологическим маршрутам. Установлено, что электрофизические характеристики МОП-транзисторов существенным образом зависят от качества подзатворного диэлектрика. Наличие дополнительного встроенного заряда в ...
      2019-02-04

    • Вольт-амперные характеристики генераторных диодов для создания широкополосного шума 

      Буслюк, В. В.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Русакевич, Д. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)
      Вольт-амперные характеристики генераторных диодов для создания широкополосного шума / В. В. Буслюк [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 268-269.
      2015-03-23

    • Дефектообразование за пределами области внедрения ионов в полимерных пленках 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Лукашевич, М. С.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)
      Дефектообразование за пределами области внедрения ионов в полимерных пленках / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 457.
      2015-02-10

    • Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2018)
      Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4 / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. – Минск : БНТУ, 2018. – Т. 3. – С. 410.
      2019-10-09

    • Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии 

      Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2016)
      Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии / С. А. Вабищевич [и др.] // Приборостроение-2015 : материалы 8-й международной научно-технической конференции, Минск, 25-27 ноября 2015 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2015. – Т. 1. - С. 208-209.
      2016-10-05

    • Модификация поверхности пленок полиэтилентерефталата при имплантации высокоэнергетичными ионами инертных газов с удельной энергией 1 МэВ/нуклон 

      Бринкевич, Д. И.; Лукашевич, М. Г.; Просолович, В. С.; Харченко, А. А.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2017)
      Модификация поверхности пленок полиэтилентерефталата при имплантации высокоэнергетичными ионами инертных газов с удельной энергией 1 МэВ/нуклон / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев ...
      2018-02-02

    • Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2021)
      Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 ...
      2022-02-02

    • Особенности лавинного пробоя диффузионных p-n - переходов на основе кремния 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)
      Особенности лавинного пробоя диффузионных p-n - переходов на основе кремния / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 458.
      2015-02-10

    • Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120 

      Бринкевич, Д. И.; Лапчук, Н. М.; Оджаев, В. Б.; Олешкевич, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2019)
      Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120 / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 196-198.
      2020-01-03

    • Прочностные свойства и морфология поверхности структур фоторезист ФП9120 – кремний 

      Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)
      Целью настоящей работы являлось исследование прочностных свойств пленок фоторезиста марки ФП9120 различной толщины, нанесенных на пластины кремния различных марок.
      2015-03-23

    • Релаксация упругих напряжений у поверхности позитивного фоторезиста при высокоэнергетичном воздействии 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2015)
      Релаксация упругих напряжений у поверхности позитивного фоторезиста при высокоэнергетичном воздействии / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 3. - С. 471-472.
      2016-05-04

    • Свойства слоев кремния, имплантированных аргоном 

      Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2017)
      Просолович, В. С. Свойства слоев кремния, имплантированных аргоном / В. С. Просолович, Ю. Н. Янковский, В. В. Черный // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 3. - С. 474.
      2018-06-28